C23C 16/00 - Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП) (распыление или вакуумное испарение C23C 14/00) [4]
16/01 . на временных подложках, например на подложках, последовательно удаляемых травлением [7]
16/02 . предварительная обработка покрываемого материала (C23C 16/04 имеет преимущество) [4]
16/04 . нанесение покрытия на выбранные участки поверхности, например с использованием масок [4]
16/06 . характеризуемые осаждением металлического материала [4]
16/08 . . из галогенидов металлов [4]
16/10 . . . осаждение только хрома [4]
16/12 . . . осаждение только алюминия [4]
16/14 . . . осаждение только одного другого металла [4]
16/16 . . из карбонилов металлов [4]
16/18 . . из металлоорганических соединений [4]
16/20 . . . осаждение только алюминия [4]
16/22 . характеризуемые осаждением неорганического материала иного, чем металлический [4]
16/24 . . осаждение только кремния [4]
16/26 . . осаждение только углерода [4]
16/27 . . . осаждением только алмаза [7]
16/28 . . осаждение только одного другого неметалла [4]
16/30 . . осаждение соединений, смесей или твердых растворов, например боридов, карбидов, нитридов [4]
16/32 . . . карбиды [4]
16/34 . . . нитриды [4]
16/36 . . . карбонитриды [4]
16/38 . . . бориды [4]
16/40 . . . оксиды [4]
16/42 . . . силициды [4]
16/44 . характеризуемые способом покрытия (C23C 16/04 имеет преимущество) [4]
16/442 . . способами в псевдоожиженном слое [7]
16/448 . . характеризуемые способом, используемым для генерирования реакционноспособных газовых струй, например путем испарения или сублимации промежуточных материалов [7]
16/452 . . . путем активирования реакционноспособных газовых струй перед вхождением в реакционную камеру, например путем ионизации или добавления реакционноспособных частиц [7]
16/453 . . прохождение реакционноспособных газов через форсунки или горелки, например ХОП при атмосферном давлении (C23C 16/513 имеет преимущество; для пламенного или плазменного распыления покрывающего материала в расплавленном состоянии C23C 4/00) [7]
16/455 . . характеризуемые способом, используемым для введения газов в реакционную камеру или для модифицирования газовых потоков в реакционной камере [7]
16/458 . . характеризуемые способом, используемым для поддерживания подложек в реакционной камере [7]
16/46 . . характеризуемые способом, используемым для нагрева подложки (C23C 16/48,C23C 16/50 имеют преимущество) [4]
16/48 . . путем облучения, например фотолиза, радиолиза, корпускулярного излучения [4]
16/50 . . путем использования электрических разрядов [4]
16/503 . . . с использованием разрядов постоянного или переменного тока [7]
16/505 . . . с использованием радиочастотных разрядов [7]
16/507 . . . . с использованием внешних электродов, например в реакторах туннельного типа [7]
16/509 . . . . с использованием внутренних электродов [7]
16/511 . . . с использованием микроволновых разрядов [7]
16/513 . . . с использованием плазменных струй [7]
16/515 . . . с использованием пульсирующих разрядов [7]
16/517 . . . с использованием комбинации разрядов, охватываемых двумя или более группами C23C 16/503-C23C 16/515 [7]
16/52 . . управление или регулирование способа покрытия (управление или регулирование вообще G05) [4]
16/54 . . устройства, специально приспособленные для непрерывного покрытия [4]
16/56 . последующая обработка [4]